在真空传感器的制作中， 挑选硼硅膜作为传感器的传感元， 这是由硼硅膜制作简略、安全和杰出的机械特性决议的。作为真空传感器的传感元， 硼硅膜是真空传感器的中心有些。这些年， 用P+膜制作微传感器和微器材， 已经成为各大公司和某些高校热切研讨的主题， 并被作为电容式压力传感器的薄膜、加速度传感器中的悬臂梁、测量流速时的桥、筛漏的小孔以及微型马达部件等， 广泛地应用于工业生产中。此外， P+膜可以在各种硅的腐蚀液中到达自中止， 可以作为固态压力传感器和SOI构造器材等硅薄膜的腐蚀鸿沟。因为其腐蚀精度高， 腐蚀面平坦而被广泛选用。运用BN掺杂剂在硅外表掺杂硼， 作为硅腐蚀的自中止外表， BN掺杂源易于控制浓度( 可以供给希望得到的B的浓度) ， 再加上其运用安全、便利， 因而具有很高的运用价值。在压力效果下， 硼硅膜会发作形变， 如图2所示。

图2 SiB膜及其在压力下的形变
假定硼硅膜在Z轴方向上的变形量w>>h (硼硅膜的厚度)， 选用大挠度理论对硼硅膜进行说明，差错较小。说明可得到在硼硅膜上恣意一点(x， y)处的挠度， 则

式中: E是硼硅膜的杨氏模量; ν是泊松比; a是方形电极边长的一半。此刻， 电容值

    因而， 在不一样的压力效果下， 方形硼硅膜的变形量是不一样的， 然后对应不一样的电容值。使用ANSYS软件对硼硅膜的变形状况进行模仿仿真， 研讨在不一样的压力下， 方形硼硅膜的变形状况。外界压力分别是10-3、102Pa 时使用ANSYS仿真的方形硼硅膜的变形状况如图3 所示。由图3 能够看到，当压力不一样时， 颜色带的方位是不一样的。压力越大，硼硅膜的变形量就越大；在同一压力下， 硼硅膜基地方位的变形量。

图3外界压力分别为10-3、102Pa 时对应的硼硅膜的变形示目的 。